제7회 삼성전기 1nside edge 논문대상

제7회 삼성전기 1nside edge 논문대상

대학의 기술교육 발전에 필수적인젊은 인재들의 자유로운 발상과 잠재 기술력을 발현할 수 있는 장을 만들고자 제7회 삼성전기 1nside edge 논문대상을 실시합니다.

[1] 응모 주제

- 제7회 삼성전기 1nside edge

[2] 응모 자격

- 국내외 재학 중인 대학원생(Post-Doc 및 외국인 포함)

[3] 일정

-  논문제목 및 초록 접수 마감 : ‘11. 05. 23 (月) ~ ’11. 07. 08 (金)
(삼성전기 홈페이지 http://www.sem.samsung.co.kr 등록)

- 1차 초록심사 결과 발표 : ‘11. 07. 22 (金)

- 2차 최종논문 결과 발표 : ‘11. 09. 30 (金)

- 2차 논문 심사 결과 발표 : ‘11. 10. 21 (金)

- 3차 발표 심사 및 결과 발표 : ‘11. 11. 24 (木)
(시상식 일정은 추후 공지 예정)

[4] 응모 분야

1) 소재 분야

- 고분자, 세라믹, 복합재료, LTCC, 나노, MEMS, 박막 공정, 인쇄회로 기판 공정 (도금, 회로, 가공, bumping 等), 수동/능동소자 내장 기판, SOFC, Supercapacitor, Sensor, Bio

2) 무선 분야

- Analog &Digital IC Design, Wireless Communication Systems, MAC Design and analysis, Network Design and analysis, SoC for wireless application, Communication Software

3) 전력전자 분야

- Display Power용 전력전자 기술, 대용량/고밀도 SMPS용 전력전자 기술, 신재생 에너지용 전력전자 기술,열/EMI/EMC 설계기술, SMPS 고효율 Topology 및 제어기술, SMPS Simulation Technology, 고밀도 트랜스 설계기술, Slim 및 고밀도 Power 기술, Digital Power 기술, Power ASIC Circuit Design 기술, 파워소자 설계기술, Battery Management 기술, 모터 제어 시스템, 모터 드라이브 설계, 대용량 인터버 기술

4) 기반기술 분야

- 열/유체 해석, 구조/진동 해석, 전자장/RF/회로/EMI 해석, 광학/광소자 해석, 재료 해석, 분자모델링, Multi-Physics 해석, Multi-scale 해석, Molecular dynamics simulation, 나노 구조 분석, 유기/무기 화학 정량 정성 분석, 고분자 특성 분석, 결정구조 및 재료 물성 분석, 레이저 분광/계측/가공, 마이크로 소자 고장분석 및 신뢰성 향상 기술, 표면 및 계면 분석, 전장 신뢰성 평가

5) 생산기술 분야

- Electronic Packaging / Test, Plating, MCC (Micro Contamination Control) 기술,Yield / Failure Analysis , Visual Inspection, 지능 제어, 초정밀제어(위치, 속도, 토크), 광학계 설계 및 계측, 렌즈 설계 및 금형, 초정밀 가공(극소형 금형기술, 미세형상 성형기술), 인쇄전자(Gravure printing, inkjet printing), 생산시스템(생산 scheduling,생산simulation, MES), Laser Direct Imaging, Laser Trench

[5] 시상내역 및 특전

시상		특전
대상(1편)	상패 및 1000만원	- 박사 : 입사시 해외 Post-Doc 지원(1년) - 석사 : 산학장학생과 동일한 자격 부여
금상(1편)	상패 및 500만원	- 석/박사 : 산학장학생과 동일한 자격 부여
은상(2편)	상패 및 300만원
동상(6편)	상패 및 100만원